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      高壓裝置介質(zhì)損耗測(cè)試儀

      • 產(chǎn)品型號(hào):
      • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間:2025-01-11
      • 訪  問  量:1668

      簡(jiǎn)要描述:高壓裝置介質(zhì)損耗測(cè)試儀用戶可根據(jù)不同的測(cè)量對(duì)象和測(cè)量需要,靈活地采用多種接線方式。如采用“正接線法“進(jìn)行測(cè)量時(shí),可將“E“點(diǎn)接地;

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      產(chǎn)品詳情

      JSY--高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀是一種*的測(cè)量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)。它淘汰了QSI高壓電橋,具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印,使用方便、無需換算、自帶高壓,抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。體積小、重量輕,是我廠的第三代智能抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀。

      結(jié)構(gòu) 高壓裝置介質(zhì)損耗測(cè)試儀
      儀器為升壓與測(cè)量一體化結(jié)構(gòu),輸出電壓2.5KV~10KV五檔可調(diào),以適應(yīng)各種需要,在測(cè)量對(duì)無需任何外部設(shè)備。接線與QSI電橋相似,但比其方便。
      工作原理
      儀器測(cè)量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路測(cè)試回路,如圖三所示。
      標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成,由計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測(cè)試回路的電流幅值及其相位差,并由之算出被測(cè)試品的電容容值(Cx)和其介質(zhì)損耗(tg)。
      數(shù)據(jù)采集電路全部采用高穩(wěn)定度器件,采集板和采集計(jì)算機(jī)被鐵盒*浮空屏蔽,儀器的外殼接地屏蔽;另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù)、浮空地、大面積地、單點(diǎn)地、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù),加之計(jì)算機(jī)對(duì)數(shù)百個(gè)電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,故測(cè)量結(jié)果穩(wěn)定、精確、可靠。
      由圖三可見,高壓變壓器的高壓側(cè)和測(cè)量線路都是浮地的,用戶可根據(jù)不同的測(cè)量對(duì)象和測(cè)量需要,靈活地采用多種接線方式。如采用“正接線法"進(jìn)行測(cè)量時(shí),可將“E"點(diǎn)接地;而當(dāng)采用“反接線法"進(jìn)行測(cè)量時(shí),可將“UH"點(diǎn)接地,而將E點(diǎn)浮空。高壓裝置介質(zhì)損耗測(cè)試儀
      圖中除測(cè)試品Cx外,其余為本儀器。細(xì)線框內(nèi)部分對(duì)儀器外殼能承受15KV工頻高壓5分鐘,額定耐壓10KV。儀器內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容CN,名義值為50PF,tgδ≤0.0001,耐壓10KV。高壓變壓器,額定輸出功率為1KVA。
      ★“E"點(diǎn)為儀器的內(nèi)屏蔽與測(cè)量電纜的屏蔽層相連,不是大地,與儀器的外殼也不連通?。?!

      技術(shù)指標(biāo)
      1、環(huán)境溫度:0~40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照)
      2、相對(duì)濕度:30%~70%
      3、供電電源:電壓:220V±10%,頻率50±1Hz
      4、外形尺寸:長(zhǎng)×寬×高=4900mm×300mm×390mm
      5、重量:約18kg
      6、輸出功率:1KVA
      7、顯示分辨率:4位
      8、測(cè)量范圍:
      介質(zhì)損耗(tgδ):0-50%
      電容容量(Cx)和加載電壓:
      2.5KV檔:≤300nF(300000pF)
      3KV檔:≤200nF(200000pF)
      5KV檔:≤ 76nF( 76000pF)
      7.5KV檔:≤ 34nF( 34000pF)
      10 KV檔:≤ 20nF( 20000pF)
      9、基本測(cè)量誤差:
      介質(zhì)損耗(tgδ):1%±0.07%(加載電流20μA~500mA)正接
      介質(zhì)損耗(tgδ):2%±0.09%(加載電流 5μA~ 20mA)反接
      電容容量( Cx ):1.5%±1.5pF


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